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无线和射频半导体
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GA01PNS80-220

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库存:16,670(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2,598.1186
2598.1186
5
¥2,563.5406
12817.703
10
¥2,473.0163
24730.163
20
¥2,418.2339
48364.678
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
GeneSiC Semiconductor
产品种类
PIN 二极管
RoHS
Vr - 反向电压
8 kV
最大二极管电容
26 pF
最大串联电阻(中频最大时)
-
If - 正向电流
2 A
Vf - 正向电压
6.1 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
11.18 mm x 9.14 mm x 6.35 mm
系列
GA01PNS
封装
Tube
配置
Single
高度
6.35 mm
长度
11.18 mm
端接类型
Through Hole
类型
Silicon PIN Diode
宽度
9.14 mm
商标
GeneSiC Semiconductor
Ir - 反向电流
4 uA
产品类型
PIN Diodes
工厂包装数量
10
子类别
Diodes & Rectifiers
商品其它信息
优势价格,GA01PNS80-220的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频混合器 Mixer
500:¥88.592
1,000:¥77.6084
参考库存:28787
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100:¥131.1704
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无线和射频半导体
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416:¥26.2838
832:¥24.8148
1,248:¥24.4306
参考库存:28793
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2,500:¥84.524
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无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU 8kB, 768B RAM, +13 dBm, programmable XCVR, DC-DC
2,500:¥34.2729
参考库存:28799
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