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无线和射频半导体
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BLX13C

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库存:16,622(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥553.248
553.248
10
¥461.04
4610.4
25
¥414.936
10373.4
50
¥368.832
18441.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
10
集电极—发射极最大电压 VCEO
36 V
发射极 - 基极电压 VEBO
4 V
集电极连续电流
3 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
SOT-120
封装
Tray
工作频率
28 MHz
类型
RF Bipolar Power
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
最大直流电集电极电流
9 A
Pd-功率耗散
73 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
1
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,BLX13C的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频放大器 40-1000MHz NF 5.5dB, Gain24dB
1:¥247.7299
25:¥233.2885
参考库存:4905
无线和射频半导体
射频放大器 Distributed amp
1:¥1,091.7382
5:¥1,071.918
10:¥1,040.1876
25:¥1,003.2253
50:¥1,003.2253
参考库存:43313
无线和射频半导体
射频放大器 QPA1003P, 1-8 GHZ 10W PA - EHS PKG
1:¥11,526.00
参考库存:43316
无线和射频半导体
射频放大器 0.8GHz - 1GHz Variable-Gain Amp
1:¥96.5133
10:¥94.8974
25:¥93.2815
50:¥88.7502
参考库存:4928
CEL
无线和射频半导体
RF 开关 IC L, S-band SPDT pHEMT GaAs MMIC
1:¥13.5261
10:¥10.2943
100:¥7.5258
500:¥6.3958
参考库存:5067
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