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无线和射频半导体
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BLX13C

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库存:16,622(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥553.248
553.248
10
¥461.04
4610.4
25
¥414.936
10373.4
50
¥368.832
18441.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
10
集电极—发射极最大电压 VCEO
36 V
发射极 - 基极电压 VEBO
4 V
集电极连续电流
3 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
SOT-120
封装
Tray
工作频率
28 MHz
类型
RF Bipolar Power
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
最大直流电集电极电流
9 A
Pd-功率耗散
73 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
1
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,BLX13C的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频混合器 BiCMOS MMIC Mix w/Int LO amp, 2.0-2.7GHz
500:¥116.5708
参考库存:16978
无线和射频半导体
RF 开关 IC 5-6500MHz 10W SPDT
100:¥12.4526
200:¥11.4469
参考库存:16981
无线和射频半导体
RF 开关 IC DC-4.0GHz IL:1dB max +175C
50:¥212.9259
参考库存:16984
无线和射频半导体
射频放大器 TGA2752-SM T/R, 7.1-8.5GHZ 10W PA
500:¥1,329.6371
参考库存:16987
无线和射频半导体
射频放大器 GaAs HEMT MMIC Med pow amp, 17 - 30 GHz
25:¥627.7037
100:¥592.0522
参考库存:16990
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