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无线和射频半导体
A2T21H410-24SR6参考图片

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A2T21H410-24SR6

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T21H410-24S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
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库存：16,550(价格仅供参考)
数量单价合计
150
¥1,282.0754
192311.31
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
1.6 A, 2.7 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 65 V
增益
15.6 dB
输出功率
72 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-1230S-4L2L-6
封装
Reel
工作频率
2.11 GHz to 2.17 GHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
150
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
零件号别名
935312756128
单位重量
8.604 g
商品其它信息
优势价格，A2T21H410-24SR6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
HMC1082LP4E
Analog Devices / Hittite
无线和射频半导体
射频放大器 amp, Driver
1:¥273.6295
5:¥258.6457
10:¥252.4194
25:¥226.8362
参考库存:2830
SBA5086Z
Qorvo
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射频放大器 DC-5GHz SSG 20.4dB NF 4.5dB max.
1:¥38.8833
25:¥29.8094
100:¥23.278
250:¥19.2891
500:¥17.289
1,000:¥15.2098
参考库存:5826
MML20211HT1
NXP / Freescale
无线和射频半导体
射频放大器 LNA 2GHz 21P1dB DFN2x2 8
1:¥70.3877
10:¥62.9297
25:¥56.6356
50:¥53.9462
1,000:¥33.5836
参考库存:3818
MA5532-AEB
Coilcraft
无线和射频半导体
RFID应答器
1:¥14.8256
10:¥13.221
50:¥11.9102
100:¥10.5994
2,500:¥7.1529
参考库存:3931
BLUENRG-MSQTR
STMicroelectronics
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU Bluetooth Low Energy Network Processor supporting Bluetooth 4.1 core specification
1:¥24.3628
10:¥20.7468
100:¥17.9783
250:¥17.063
3,000:¥12.2153
参考库存:9351
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