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无线和射频半导体

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MMRF5300NR5

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2700-3500 MHz, 60 W PEAK, 50V WIDEBAND RF POWER GaN TRANSISTOR
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数量单价合计
1
¥1,807.8192
1807.8192
5
¥1,767.4782
8837.391
10
¥1,731.3634
17313.634
25
¥1,705.7689
42644.2225
50
¥1,643.8336
82191.68
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
GaN
Id-连续漏极电流
70 mA
Vds-漏源极击穿电压
125 V
增益
17 dB
输出功率
60 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
OM-270-2
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
2.7 GHz to 3.5 GHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
通道数量
1 Channel
Pd-功率耗散
105.3 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 8 V
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3 V
零件号别名
935322537528
单位重量
554.700 mg
商品其它信息
优势价格，MMRF5300NR5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
HMC451LC3
Analog Devices / Hittite
无线和射频半导体
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1:¥429.3096
5:¥416.3146
10:¥403.2518
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MASW-004103-001SMB
MACOM
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无线和射频半导体
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1:¥25.4363
25:¥16.8257
100:¥13.9103
250:¥13.221
500:¥12.0684
1,500:¥11.752
参考库存:3044
BFR 193 E6327
Infineon Technologies
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 NPN RF Transistor 12V 80mA 580mW
1:¥3.7629
10:¥2.4408
100:¥1.04525
1,000:¥0.80682
3,000:¥0.61472
参考库存:22616
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