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无线和射频半导体
MRF6V12500HR5参考图片

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MRF6V12500HR5

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 500W 50V NI780H
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数量单价合计
1
¥2,904.6311
2904.6311
5
¥2,859.9848
14299.924
10
¥2,817.4177
28174.177
25
¥2,756.635
68915.875
50
¥2,714.2939
135714.695
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
110 V
增益
18.5 dB
输出功率
50 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-780
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
工作频率
0.96 GHz to 1.215 GHz
系列
MRF6V12500H
商标
NXP / Freescale
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.4 V
零件号别名
935310167178
单位重量
6.425 g
商品其它信息
优势价格,MRF6V12500HR5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRFE6VP6300-230
1:¥7,538.23
5:¥7,457.2429
10:¥7,377.1033
参考库存:14515
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3,000:¥19.7524
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1:¥94.355
10:¥88.8293
25:¥86.0608
50:¥83.2132
参考库存:14521
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1:¥59.2459
10:¥55.935
25:¥54.3304
50:¥52.6354
参考库存:14524
无线和射频半导体
射频放大器 I.C. amp 13-25 GHz Die
2:¥708.3857
6:¥685.571
10:¥671.8867
26:¥644.4616
参考库存:14527
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