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无线和射频半导体
BF 888 H6327参考图片

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BF 888 H6327

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
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数量单价合计
1
¥4.0002
4.0002
10
¥3.3222
33.222
100
¥2.0227
202.27
1,000
¥1.5707
1570.7
3,000
¥1.3334
4000.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
BF888
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
250
集电极—发射极最大电压 VCEO
4 V
发射极 - 基极电压 VEBO
13 V
集电极连续电流
30 mA
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-343
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
类型
RF Bipolar Power
商标
Infineon Technologies
Pd-功率耗散
160 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BF888H6327XT BF888H6327XTSA1 SP000745170
商品其它信息
优势价格,BF 888 H6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
RF 开关 IC CMOS SWITCH
1:¥4.3844
10:¥3.8307
100:¥2.3278
1,000:¥1.8645
4,500:¥1.7515
参考库存:3710
无线和射频半导体
射频放大器 800-900MHz 4W Small Cell PAE 42%
1:¥85.5184
10:¥77.3033
25:¥71.2352
50:¥67.1559
2,500:¥49.4036
参考库存:3376
无线和射频半导体
射频放大器 2.7-3.7GHz 18W Gain 32dB GaN
1:¥1,452.276
25:¥1,106.496
100:¥845.24
参考库存:3090
无线和射频半导体
射频放大器 Power Amplifier, 10W, 20-2500MHz, 5x6mm-DFN
1:¥298.7494
5:¥292.8395
10:¥291.2236
25:¥268.7818
参考库存:3075
无线和射频半导体
RF 开关 IC SPDT SWITCH (AS179-92LFT)
1:¥10.8367
10:¥9.7632
25:¥8.8366
100:¥7.8422
3,000:¥4.9833
参考库存:5927
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