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无线和射频半导体
MRF6V12250HSR5参考图片

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MRF6V12250HSR5

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 250W 50V NI780HS
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库存:16,016(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1,926.6839
1926.6839
5
¥1,883.7326
9418.663
10
¥1,845.1544
18451.544
25
¥1,817.9553
45448.8825
50
¥1,751.952
87597.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
110 V
增益
20.3 dB
输出功率
27.5 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-780S
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
工作频率
0.96 GHz to 1.215 GHz
系列
MRF6V12250H
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.4 V
零件号别名
935317106178
单位重量
4.763 g
商品其它信息
优势价格,MRF6V12250HSR5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
锁相环 - PLL 3.3VZDB COM
1:¥29.6625
10:¥26.5098
25:¥23.8995
100:¥21.7412
参考库存:4406
无线和射频半导体
上下转换器 21.5-32.5GHz NF 9dB Conv Gain -9dB
1:¥155.4428
25:¥132.2439
100:¥112.7966
250:¥101.0446
500:¥101.0446
参考库存:3927
无线和射频半导体
射频收发器 802.11a/b/g World Band Transceiver
1:¥194.247
10:¥180.4949
25:¥170.6639
50:¥153.7591
参考库存:3705
无线和射频半导体
PIN 二极管 .1-1500MHz .7pF Min Vr 400Vdc
1:¥29.9676
10:¥23.1311
100:¥21.0519
250:¥19.0518
1,500:¥13.221
参考库存:4112
无线和射频半导体
衰减器 8dB 50ohm
1:¥0.92208
10:¥0.79891
25:¥0.71416
100:¥0.62263
10,000:¥0.34578
参考库存:8796
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