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无线和射频半导体
AFV10700H-1090参考图片

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AFV10700H-1090

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFV10700H-1090/HWONLY///BOARDS NO MARK
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数量单价合计
1
¥7,538.23
7538.23
5
¥7,457.2429
37286.2145
10
¥7,377.1033
73771.033
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
2.6 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 105 V
增益
19.2 dB
输出功率
700 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-780H-4L
工作频率
1030 MHz to 1090 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
通道数量
2 Channel
Pd-功率耗散
526 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.3 V
零件号别名
935358817598
商品其它信息
优势价格,AFV10700H-1090的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
RFID应答器 MIFARE HS READER
1:¥105.9601
10:¥97.4286
25:¥93.4397
100:¥82.2979
参考库存:6381
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1:¥19.1309
10:¥18.8258
25:¥15.9104
100:¥15.2889
6,000:¥15.2889
参考库存:10913
无线和射频半导体
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1:¥35.9566
25:¥27.5833
100:¥21.5152
250:¥17.8314
2,500:¥12.2944
参考库存:9282
无线和射频半导体
锁相环 - PLL Hi Perf Freq Synthesizer System
1:¥89.8237
10:¥82.5239
25:¥78.2977
100:¥69.7662
250:¥66.3084
参考库存:5276
无线和射频半导体
PIN 二极管 RF DIODE
1:¥2.8476
10:¥1.8419
100:¥0.791
1,000:¥0.60681
3,000:¥0.46104
参考库存:39045
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