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无线和射频半导体
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AFIC10275NR5

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFIC10275N/FM14F///REEL 13
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数量单价合计
1
¥1,780.3828
1780.3828
5
¥1,737.5784
8687.892
10
¥1,694.4011
16944.011
25
¥1,670.6598
41766.495
50
¥1,670.6598
83532.99
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
1.6 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 100 V
增益
32.1 dB
输出功率
250 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-270WB-14
封装
Cut Tape
封装
Reel
工作频率
978 MHz to 1090 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
通道数量
1 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.3 V
零件号别名
935312592578
单位重量
1.652 g
商品其它信息
优势价格，AFIC10275NR5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BFR193WH6327XTSA1
Infineon Technologies
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥2.9154
10:¥2.0792
100:¥0.9605
1,000:¥0.73789
3,000:¥0.63054
参考库存:34457
ARF1505
Microchip / Microsemi
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥1,510.0642
2:¥1,473.7121
5:¥1,452.1178
10:¥1,431.5292
参考库存:2335
BLF245
Advanced Semiconductor, Inc.
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
1:¥553.248
10:¥461.04
25:¥414.936
50:¥368.832
参考库存:2356
PAT1220-C-5DB-T5
Susumu
无线和射频半导体
衰减器 5dB 50ohm
1:¥2.7685
10:¥2.3843
25:¥2.147
100:¥1.8645
5,000:¥1.02152
参考库存:10055
RFX2411
Skyworks Solutions, Inc.
无线和射频半导体
射频前端 ZigBee/ISM RFeIC PA+LNA+Ant Diversity Sw
1:¥12.2153
10:¥11.0627
25:¥9.831
100:¥8.9157
2,500:¥5.0963
参考库存:3057
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