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无线和射频半导体
PD57018TR-E参考图片

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PD57018TR-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
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库存：15,628(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥249.0407
249.0407
5
¥246.4304
1232.152
10
¥229.6725
2296.725
25
¥219.3782
5484.455
600
¥178.1106
106866.36
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
2.5 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
Rds On-漏源导通电阻
760 mOhms
增益
16.5 dB
输出功率
18 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerSO-10RF-Formed-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
高度
3.5 mm
长度
7.5 mm
工作频率
1 GHz
系列
PD57018-E
类型
RF Power MOSFET
宽度
9.4 mm
商标
STMicroelectronics
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
31.7 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
单位重量
3 g
商品其它信息
优势价格，PD57018TR-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
RS14100-SBT0-210F-B00-12
Redpine Signals
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC RSA14100 WiseMCU
1:¥249.4249
10:¥230.4409
20:¥230.0567
50:¥228.9041
参考库存:13996
HMC-VVD104
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25:¥659.6714
100:¥622.178
参考库存:13999
ADS58C23IPFP
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无线和射频半导体
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1:¥833.2507
5:¥806.3567
10:¥790.2994
25:¥747.269
参考库存:14002
CPLL58-2450-2450
Crystek Corporation
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锁相环 - PLL 2450MHz
1:¥410.9358
5:¥390.4263
10:¥369.8264
25:¥328.717
参考库存:14005
ADL5358ACPZ-R7
Analog Devices
无线和射频半导体
射频混合器 1,2G dual mixer, dual mixer/amp
750:¥93.9708
参考库存:14008
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