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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Qorvo
产品种类	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS	是
技术	GaN
增益	16.2 dB
Vds-漏源极击穿电压	-
Vgs-栅源极击穿电压	-
Id-连续漏极电流	-
输出功率	90 W
最大漏极/栅极电压	-
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	-
Pd-功率耗散	-
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	DFN-6
封装	Cut Tape
封装	Reel
应用	Microcell Base Station, W-CDMA / LTE
配置	Single
工作频率	1.8 GHz to 3.8 GHz
系列	QPD
商标	Qorvo
正向跨导 - 最小值	-
开发套件	QPD0060PCB4B01
产品类型	RF JFET Transistors
工厂包装数量	250
子类别	Transistors
零件号别名	1131037

商品其它信息

优势价格，QPD0060的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
MADP-011048-TR3000	MACOM	无线和射频半导体	PDF数据手册	PIN 二极管 5-400MHz >50W Ct=3pF Non-Magnetic	1:¥108.8077 10:¥89.0553 50:¥79.1452 100:¥71.2352 3,000:¥55.4039	参考库存:3815
TGL2223-SM	Qorvo	无线和射频半导体	PDF数据手册	衰减器 1-31GHz 5Bit LSB.5dB Atten. Range 15.5dB	1:¥384.20 25:¥311.202 100:¥252.1143	参考库存:2961
MRFE6VP61K25HR5	NXP / Freescale	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1.25KW ISM NI1230H	1:¥1,330.9479 5:¥1,298.9011 10:¥1,266.7074 25:¥1,248.9551 50:¥1,248.9551	参考库存:1786
AFM906NT1	NXP / Freescale	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFM906N/HVSON16///REEL 7 Q1 DP	1:¥18.2834 10:¥16.7466 25:¥15.2098 100:¥13.7521 1,000:¥10.2943	参考库存:3614
EZR32HG220F64R68G-B0	Silicon Labs	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频微控制器 - MCU 64 kB M0+, +20 dBm EZRadioPRO, QFN48 wireless MCU	1:¥27.7415 10:¥27.1991 25:¥26.7358 50:¥26.2047	参考库存:1851