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无线和射频半导体
MRF8P9040GNR1参考图片

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MRF8P9040GNR1

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 900MHZ 40W TO270WB4G
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库存:15,306(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥191.4898
191.4898
5
¥183.0374
915.187
10
¥176.6529
1766.529
25
¥154.1433
3853.5825
500
¥132.9332
66466.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
70 V
增益
19.1 dB
输出功率
4 W
最小工作温度
- 30 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-272-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
工作频率
0.7 GHz to 1 GHz
系列
MRF8P9040N
商标
NXP / Freescale
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.3 V
零件号别名
935321848528
单位重量
1.635 g
商品其它信息
优势价格,MRF8P9040GNR1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频放大器 amp, Driver
1:¥273.6295
5:¥258.6457
10:¥252.4194
25:¥226.8362
参考库存:2830
无线和射频半导体
射频放大器 DC-5GHz SSG 20.4dB NF 4.5dB max.
1:¥38.8833
25:¥29.8094
100:¥23.278
250:¥19.2891
500:¥17.289
1,000:¥15.2098
参考库存:5826
无线和射频半导体
射频放大器 LNA 2GHz 21P1dB DFN2x2 8
1:¥70.3877
10:¥62.9297
25:¥56.6356
50:¥53.9462
1,000:¥33.5836
参考库存:3818
无线和射频半导体
RFID应答器
1:¥14.8256
10:¥13.221
50:¥11.9102
100:¥10.5994
2,500:¥7.1529
参考库存:3931
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU Bluetooth Low Energy Network Processor supporting Bluetooth 4.1 core specification
1:¥24.3628
10:¥20.7468
100:¥17.9783
250:¥17.063
3,000:¥12.2153
参考库存:9351
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