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无线和射频半导体
MRFE6VP5600HSR5参考图片

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MRFE6VP5600HSR5

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 600W 50V NI1230HS
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库存:15,135(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1,028.4243
1028.4243
5
¥1,008.4459
5042.2295
10
¥975.1787
9751.787
25
¥933.9111
23347.7775
50
¥921.0856
46054.28
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
130 V
增益
25 dB
输出功率
600 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-1230S
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Dual
工作频率
1.8 MHz to 600 MHz
系列
MRFE6VP5600
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
Pd-功率耗散
1.667 kW
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.2 V
零件号别名
935319677178
单位重量
8.488 g
商品其它信息
优势价格,MRFE6VP5600HSR5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CEL
无线和射频半导体
RF 开关 IC 2.0GHz to 6.0GHz SPDT pHEMT GaAs FET
1:¥9.379
10:¥7.1868
100:¥5.2206
500:¥4.4409
参考库存:3526
无线和射频半导体
RF 开关 IC 2-18GHz ISO 35dB IL 1.4dB @ 18GHz
25:¥238.5882
参考库存:3414
无线和射频半导体
锁相环 - PLL 3.3V 200MHz 18 IND Programable
1:¥341.938
5:¥332.2539
10:¥317.0441
25:¥305.8232
参考库存:3511
无线和射频半导体
锁相环 - PLL Frctn-N PLL w/ Int VCO, 25 - 6000 MHz
1:¥162.2906
5:¥153.3749
10:¥149.6798
25:¥134.5491
500:¥116.0284
参考库存:3844
无线和射频半导体
RF 开关 IC DC-4.0GHz SP4T GaAs P1dB 27dBm
1:¥63.4721
参考库存:3579
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