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无线和射频半导体
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SD1492

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1
¥1,877.8114
1877.8114
10
¥1,723.137
17231.37
25
¥1,546.405
38660.125
50
¥1,369.673
68483.65
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
15
集电极—发射极最大电压 VCEO
30 V
发射极 - 基极电压 VEBO
3 V
集电极连续电流
25 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
M175
封装
Tray
工作频率
860 MHz
类型
RF Bipolar Power
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
Pd-功率耗散
310 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
子类别
Transistors
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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