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无线和射频半导体
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D1028UK

  • Semelab / TT Electronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 300W-28V-175MHz PP
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1
¥1,820.4187
1820.4187
10
¥1,600.7354
16007.354
25
¥1,454.2761
36356.9025
50
¥1,276.3915
63819.575
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
TT Electronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
30 A
Vds-漏源极击穿电压
70 V
增益
13 dB
输出功率
300 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DR
配置
Dual
工作频率
175 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Semelab / TT Electronics
Pd-功率耗散
438 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
10
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V to 7 V
商品其它信息
优势价格，D1028UK的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
HMC516LC5
Analog Devices / Hittite
无线和射频半导体
射频放大器 lo Noise amp SMT, 9 - 18 GHz
1:¥394.3474
5:¥382.3581
10:¥370.4479
25:¥358.4586
参考库存:1317
BGB 707L7ESD E6327
Infineon Technologies
无线和射频半导体
射频放大器 RF BIP TRANSISTORS
1:¥7.7631
10:¥6.6331
100:¥5.0963
500:¥4.4974
7,500:¥3.0397
参考库存:9407
MAX2112CTI+
Maxim Integrated
无线和射频半导体
调谐器 Direct Conv Tuner Tuner for DVB-S2
1:¥62.0144
10:¥59.0877
25:¥44.183
250:¥41.0303
参考库存:1302
HMC649ALP6E
Analog Devices
无线和射频半导体
相位探测器 / 移相器 -6 GHz 6-bit digital phase shifter
1:¥794.7516
5:¥769.0893
10:¥753.7213
25:¥723.0644
参考库存:1167
RFPP3180
Qorvo
无线和射频半导体
射频放大器 45-1218MHz Hybrid Push/ Pull Amp.
1:¥308.5126
25:¥290.4552
参考库存:1198
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