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无线和射频半导体
MHT1108NT1参考图片

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MHT1108NT1

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MHT1108N/HVSON16///REEL 7 Q1 DP
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数量单价合计
1
¥89.9819
89.9819
10
¥82.7612
827.612
25
¥79.3034
1982.585
100
¥69.8453
6984.53
1,000
¥57.0198
57019.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
143 mA
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 65 V
增益
18.1 dB
输出功率
12.5 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DFN-16
封装
Cut Tape
封装
Reel
工作频率
2450 MHz
系列
MHT1108N
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
Pd-功率耗散
32.9 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
0.8 V
零件号别名
935337042515
单位重量
0.001 mg
商品其它信息
优势价格,MHT1108NT1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
锁相环 - PLL PLL w/ VCO
1:¥4.5313
10:¥3.7629
100:¥2.4295
1,000:¥1.9436
2,000:¥1.7628
参考库存:8014
无线和射频半导体
锁相环 - PLL 3 PLL Clk Syn COM
1:¥117.0228
10:¥106.3443
25:¥98.3552
50:¥90.3661
参考库存:2125
无线和射频半导体
射频放大器 IC RF/IF 1 GHz
1:¥48.7934
10:¥43.8779
25:¥41.3354
50:¥38.8042
1,000:¥26.9731
参考库存:2408
无线和射频半导体
RF 开关 IC .002-6GHz SPDT IL .35dB Iso 24dB
1:¥4.0002
10:¥3.4465
100:¥2.5764
500:¥2.0227
3,000:¥1.3786
参考库存:5910
无线和射频半导体
衰减器 2dB 50ohm
1:¥0.92208
10:¥0.79891
25:¥0.71416
100:¥0.62263
10,000:¥0.34578
参考库存:31043
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