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无线和射频半导体
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BLV10

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库存:14,201(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥484.092
484.092
10
¥403.41
4034.1
25
¥363.069
9076.725
50
¥322.728
16136.4
询价数量:
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参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
10
集电极—发射极最大电压 VCEO
18 V
发射极 - 基极电压 VEBO
4 V
集电极连续电流
1.5 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
SOT-123
封装
Tray
工作频率
175 MHz
类型
RF Bipolar Power
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
增益带宽产品fT
950 MHz
最大直流电集电极电流
4 A
Pd-功率耗散
20 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,BLV10的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRFE6VP6300-230
1:¥7,538.23
5:¥7,457.2429
10:¥7,377.1033
参考库存:14515
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU 433 868 915 MHz ULP Wireless MCU
3,000:¥19.7524
参考库存:14518
无线和射频半导体
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1:¥94.355
10:¥88.8293
25:¥86.0608
50:¥83.2132
参考库存:14521
无线和射频半导体
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1:¥59.2459
10:¥55.935
25:¥54.3304
50:¥52.6354
参考库存:14524
无线和射频半导体
射频放大器 I.C. amp 13-25 GHz Die
2:¥708.3857
6:¥685.571
10:¥671.8867
26:¥644.4616
参考库存:14527
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