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无线和射频半导体
MMRF5017HS-1GHZ参考图片

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MMRF5017HS-1GHZ

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF5017HS-1GHZ/HWONLY///BOARDS NO MARK
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1
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7538.23
5
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10
¥7,377.1033
73771.033
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
GaN SiC
Id-连续漏极电流
200 mA
Vds-漏源极击穿电压
125 V
输出功率
125 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-400S-2
工作频率
30 MHz to 2200 MHz
系列
MMRF5017HS
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
通道数量
1 Channel
Pd-功率耗散
154 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 8 V
Vgs th-栅源极阈值电压
- 2.3 V
零件号别名
935371361598
商品其它信息
优势价格，MMRF5017HS-1GHZ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BFR 93A E6327
Infineon Technologies
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR
1:¥2.8476
10:¥2.2035
100:¥1.1978
1,000:¥0.89948
3,000:¥0.77631
9,000:¥0.72207
参考库存:26879
MA4PH237-1079T
MACOM
无线和射频半导体
PIN 二极管 Rs=.6ohm Ct=1.5pF CERMACHIP
1:¥58.3984
10:¥52.5563
25:¥47.799
100:¥43.2564
750:¥30.5778
参考库存:2472
SE2432L-R
Skyworks Solutions, Inc.
无线和射频半导体
射频前端 2.4GHz Zigbee Rx Gain 10 dB
1:¥26.4307
10:¥23.5944
25:¥21.2101
100:¥19.3682
3,000:¥11.9102
参考库存:6273
MAX2232EEE+
Maxim Integrated
无线和射频半导体
射频放大器 900MHz ISM-Band 250mW Power Amp
1:¥34.4198
25:¥27.0522
50:¥23.3571
250:¥22.8938
参考库存:2647
BAR6402ELE6327XTMA1
Infineon Technologies
无线和射频半导体
PIN 二极管 RF DIODES
1:¥2.6103
10:¥1.695
100:¥0.72207
1,000:¥0.56048
15,000:¥0.35369
参考库存:33371
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