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无线和射频半导体
MMRF5017HS-1GHZ参考图片

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MMRF5017HS-1GHZ

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF5017HS-1GHZ/HWONLY///BOARDS NO MARK
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1
¥7,538.23
7538.23
5
¥7,457.2429
37286.2145
10
¥7,377.1033
73771.033
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
GaN SiC
Id-连续漏极电流
200 mA
Vds-漏源极击穿电压
125 V
输出功率
125 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-400S-2
工作频率
30 MHz to 2200 MHz
系列
MMRF5017HS
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
通道数量
1 Channel
Pd-功率耗散
154 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 8 V
Vgs th-栅源极阈值电压
- 2.3 V
零件号别名
935371361598
商品其它信息
优势价格,MMRF5017HS-1GHZ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频放大器 5-500MHz NF 4.3dB Gain 11.5dB
1:¥899.5704
参考库存:14755
无线和射频半导体
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1:¥4,505.2083
5:¥4,457.1833
10:¥4,369.7326
参考库存:14758
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1:¥28.3517
10:¥22.7469
100:¥20.7468
250:¥18.7467
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无线和射频半导体
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1:¥53.3247
10:¥50.4093
25:¥48.9516
50:¥47.4148
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无线和射频半导体
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1:¥335.8699
5:¥326.344
10:¥313.4281
25:¥290.8394
500:¥249.5718
参考库存:14767
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