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无线和射频半导体
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AFT27S012NT1

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFT27S012N/PLD4L///REEL 7 Q1 DP
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数量单价合计
1
¥126.0967
126.0967
10
¥115.9493
1159.493
25
¥111.192
2779.8
100
¥97.971
9797.1
1,000
¥79.9136
79913.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
154 mA
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 65 V
增益
20.9 dB
输出功率
1.26 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PLD-1.5W
封装
Cut Tape
封装
Reel
工作频率
728 MH to 2700 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
通道数量
1 Channel
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
0.8 V
零件号别名
935347325515
单位重量
280 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MMZ27333BT1
NXP / Freescale
无线和射频半导体
射频放大器 MMZ27333B/HVQFN24///REEL 7 Q2 NDP
1:¥70.6928
10:¥63.2348
25:¥56.8616
50:¥54.1722
1,000:¥33.7305
参考库存:3868
ST25DV04K-JFR8D3
STMicroelectronics
无线和射频半导体
RFID应答器 UFDFPN 12L 3X3X0.55 Pitch 0.50
1:¥10.3734
10:¥8.8366
100:¥6.78
500:¥5.989
参考库存:7654
MMZ25332BT1
NXP / Freescale
无线和射频半导体
射频放大器 31DBM GAAS AMP
1:¥75.9925
10:¥67.9243
25:¥61.1669
50:¥58.2402
1,000:¥36.273
参考库存:4127
MA4AGSW4
MACOM
无线和射频半导体
RF 开关 IC .05-50GHz SP4T AlGaAs IL .7dB
25:¥180.4158
50:¥164.0534
参考库存:3455
SA630D/01,118
NXP Semiconductors
无线和射频半导体
RF 开关 IC SPDT SWITCH-40 TO+85
1:¥48.6352
10:¥41.3354
100:¥35.8097
250:¥33.9678
2,500:¥24.4306
参考库存:5942
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