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无线和射频半导体
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STAC3933

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 350W 29dB 30MHz STAC N-Ch RF FET
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数量单价合计
1
¥836.0192
836.0192
5
¥820.6512
4103.256
10
¥783.6889
7836.889
25
¥757.5633
18939.0825
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
20 A
Vds-漏源极击穿电压
250 V
增益
29 dB
输出功率
350 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
STAC177B
封装
Tube
配置
Dual Common Source
工作频率
30 MHz
系列
STAC3933
类型
RF Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
8 S
Pd-功率耗散
795 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
单位重量
400 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
AS3956-ATDT-I3
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
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10:¥88.7502
25:¥85.0664
100:¥74.919
600:¥66.6926
参考库存:17752
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