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无线和射频半导体
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MRF6V14300HSR5

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1400MHZ 50V
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2312.4207
5
¥2,276.8483
11384.2415
10
¥2,242.9596
22429.596
25
¥2,194.5504
54863.76
50
¥2,160.8199
108040.995
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
100 V
增益
18 dB
输出功率
39.6 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-780S
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
工作频率
1.2 GHz to 1.4 GHz
系列
MRF6V14300H
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.4 V
零件号别名
935313405178
单位重量
3.273 g
商品其它信息
优势价格，MRF6V14300HSR5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
LTC5596HDC#TRPBF
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