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无线和射频半导体

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MRF6S20010NR1

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6 2GHZ 10W TO270-2
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数量单价合计
1
¥297.4499
297.4499
5
¥282.387
1411.935
10
¥277.5506
2775.506
25
¥251.5719
6289.2975
500
¥214.6096
107304.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
68 V
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-270
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
高度
2.08 mm
长度
9.7 mm
系列
MRF6S20010N
宽度
6.15 mm
商标
NXP / Freescale
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 0.5 V, 12 V
零件号别名
935313769528
单位重量
529.550 mg
商品其它信息
优势价格，MRF6S20010NR1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SST12LP17E-XX8E
Microchip Technology
无线和射频半导体
射频放大器 WLAN 11b/g/n Fully-integrated PA
1:¥8.2264
10:¥6.8365
25:¥5.6839
100:¥4.9946
参考库存:6466
MA4L022-30
MACOM
无线和射频半导体
PIN 二极管 Max CW 3 Watts Max. Pk Pwr 90W
1:¥157.4429
10:¥145.77
25:¥135.0124
50:¥124.9441
参考库存:4235
MMBT5401-G
Comchip Technology
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 VCEO=-150V IC=-600mA
1:¥2.147
10:¥1.3673
100:¥0.62263
1,000:¥0.39211
3,000:¥0.29945
参考库存:7668
SI4063-B1B-FM
Silicon Labs
无线和射频半导体
射频发射器 +20 dBm sub-GHz transmitter
1:¥15.7522
10:¥15.5262
25:¥15.2098
50:¥14.9047
参考库存:4514
GTVA104001FA-V1-R0
Wolfspeed / Cree
无线和射频半导体
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 50V 0.9-1.2GHz 400W
1:¥4,191.7802
50:¥4,191.7802
参考库存:4272
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