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无线和射频半导体
RN262GT2R参考图片

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RN262GT2R

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • PIN 二极管 30V; 100mA PIN Diode
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库存:12,317(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.9154
2.9154
10
¥2.1809
21.809
100
¥1.1865
118.65
1,000
¥0.89157
891.57
8,000
¥0.71416
5713.28
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
PIN 二极管
RoHS
Vr - 反向电压
30 V
最大二极管电容
0.4 pF
最大串联电阻(中频最大时)
1.5 Ohms
If - 正向电流
100 mA
Vf - 正向电压
1 V
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VMD-2
系列
RN262G
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
高度
0.5 mm
长度
1 mm
类型
Switch
宽度
0.6 mm
商标
ROHM Semiconductor
最大串联电阻(中频最小时)
2.8 Ohms
Pd-功率耗散
100 mW
产品类型
PIN Diodes
工厂包装数量
8000
子类别
Diodes & Rectifiers
零件号别名
RN262G
商品其它信息
优势价格,RN262GT2R的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
PIN 二极管 IL .1dB @-10dBm Max CW Pwr 3W
100:¥18.0574
300:¥16.2155
500:¥15.368
1,000:¥12.9046
2,500:¥12.1362
参考库存:1664
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
1:¥3.7629
10:¥2.9154
100:¥1.6159
1,000:¥1.2317
3,000:¥1.07576
参考库存:7006
无线和射频半导体
射频前端 2.4-2.5GHz FEM Typical Gain 34dB
1:¥40.8043
100:¥40.8043
200:¥37.4256
参考库存:1466
无线和射频半导体
射频放大器 3.4-3.8GHz SiGe Predriver
1:¥20.6677
10:¥19.5151
25:¥15.594
50:¥14.8256
2,500:¥9.4468
参考库存:11370
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T21H100-25S/CFM8F///REEL 13 Q2 NDP
1:¥700.1706
5:¥686.5654
10:¥663.8976
25:¥635.7719
250:¥570.0737
参考库存:39825
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