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无线和射频半导体
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2SC2714-O(TE85L,F)

  • Toshiba
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 RF Device FM band 30V Amp 23dB 100mW
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数量单价合计
1
¥3.9211
3.9211
10
¥2.2713
22.713
100
¥1.07576
107.576
1,000
¥0.82942
829.42
3,000
¥0.68365
2050.95
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
系列
2SC2714
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
40
集电极—发射极最大电压 VCEO
30 V
发射极 - 基极电压 VEBO
4 V
集电极连续电流
20 mA
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 125 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SC-59-3
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
40 V
直流电流增益 hFE 最大值
200
工作频率
550 MHz (Typ)
工作温度范围
- 55 C to + 125 C
类型
FM Frequency Amplifier
商标
Toshiba
Pd-功率耗散
100 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格，2SC2714-O(TE85L,F)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
HTMS8001FTB/AF,115
NXP Semiconductors
无线和射频半导体
RFID应答器 RFID HTAG ADVANCED
1:¥3.5369
10:¥2.9154
100:¥1.7741
1,000:¥1.3786
5,000:¥1.1639
参考库存:4558
AFV121KHR5
NXP / Freescale
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFV121KH/CFM4F///REEL 13
1:¥4,136.139
5:¥4,072.52
10:¥4,011.8955
25:¥3,925.3714
50:¥3,865.052
参考库存:41452
EM260-RTR
Silicon Labs
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC EM260 ZigBee 2.4GHz Network Coprocessor
1:¥98.5134
10:¥86.7501
25:¥74.9981
50:¥71.4612
3,500:¥50.0251
参考库存:41455
UF28100M
MACOM
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
1:¥1,581.6723
参考库存:3009
ATBTLC1000A-MU-T
Microchip Technology / Atmel
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC Smart BLE 4.1 ATBTLC1000
1:¥38.2618
10:¥34.4198
25:¥31.2784
50:¥29.3574
4,000:¥17.6732
参考库存:3589
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