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无线和射频半导体
AFT05MP075GNR1参考图片

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AFT05MP075GNR1

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 75W 12.5V TO270WB4G
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库存:5,459(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥165.8953
165.8953
10
¥152.5274
1525.274
25
¥145.77
3644.25
100
¥128.8652
12886.52
500
¥111.2598
55629.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
40 V
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-270-WB-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
136 MHz to 150 MHz
系列
AFT05MP075N
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
正向跨导 - 最小值
7.3 S
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
零件号别名
935311172528
单位重量
1.635 g
商品其它信息
优势价格,AFT05MP075GNR1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
RFID应答器 MEMORY
1:¥13.7521
10:¥11.6842
100:¥9.379
500:¥8.1473
参考库存:6958
无线和射频半导体
射频放大器 5.15-5.85GHz Gain 32dB P1dB 34dBm
1:¥43.1095
10:¥38.5782
25:¥34.7362
100:¥31.6626
3,000:¥19.5151
参考库存:5894
无线和射频半导体
射频前端 BDS/GPS/GNSS NF 1.9dB Gain 16.5dB
1:¥12.6786
10:¥11.4469
25:¥10.2152
100:¥9.2208
10,000:¥5.085
参考库存:9448
无线和射频半导体
衰减器 .05-4GHz 7 BIT GCR31.75dB Step.25dB
1:¥35.9566
25:¥27.5833
100:¥21.5152
250:¥17.8314
2,500:¥12.2944
参考库存:5211
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU 2.4GHZ 64K SOC 48pin Ind 125C
1:¥44.9514
10:¥44.2621
25:¥41.0303
参考库存:4344
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