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无线和射频半导体

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BFR 193L3 E6327

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR
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数量单价合计
1
¥3.4578
3.4578
10
¥2.6329
26.329
100
¥1.4238
142.38
1,000
¥1.07576
1075.76
15,000
¥0.791
11865
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
系列
BFR193L3
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
12 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2 V
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
20 V
直流电流增益 hFE 最大值
70 at 30 mA at 8 V
高度
1 mm
长度
2.9 mm
工作频率
8000 MHz
类型
RF Bipolar Small Signal
宽度
1.3 mm
商标
Infineon Technologies
最大直流电集电极电流
0.08 A
Pd-功率耗散
580 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
15000
子类别
Transistors
零件号别名
BFR193L3E6327XT BFR193L3E6327XTMA1 SP000013557
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格，BFR 193L3 E6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
EZR32WG330F256R60G-B0
Silicon Labs
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU 256 kB M4, USB, +13 dBm PRO, QFN64 wireless MCU
1:¥52.4772
10:¥49.6409
25:¥48.1832
50:¥46.7142
参考库存:17828
CZB06S04000075LEA
Vishay / Dale
无线和射频半导体
衰减器 4pin 75ohm +/- 0.3dB Attenuation 0dB
1:¥1.7628
50:¥1.6159
100:¥1.3108
500:¥1.2317
4,000:¥0.92208
参考库存:17831
ATA5824C-PLQW
Microchip Technology / Atmel
无线和射频半导体
射频收发器 RF DATA Cntrl Duplex Trnscvr
4,000:¥41.3354
参考库存:17834
SX1277IMLTRT
Semtech
无线和射频半导体
射频收发器 -139dBm 3 bands tranceiver
1:¥55.1666
10:¥44.4881
100:¥40.4992
250:¥36.6572
3,000:¥25.5154
参考库存:17837
MAX9985ETX+T
Maxim Integrated
无线和射频半导体
上下转换器 SiGe 700-1000MHz Downconversion Mixer
2,500:¥100.5813
参考库存:13465
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