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无线和射频半导体
PD54008L-E参考图片

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PD54008L-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor
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数量单价合计
1
¥73.3031
73.3031
10
¥66.3084
663.084
25
¥63.2348
1580.87
100
¥54.8615
5486.15
3,000
¥40.115
120345
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
5 A
Vds-漏源极击穿电压
25 V
增益
15 dB
输出功率
8 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerFLAT (5x5)
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
工作频率
1 GHz
系列
PD54008L-E
类型
RF Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
26.7 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
15 V
单位重量
3 g
商品其它信息
优势价格,PD54008L-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频放大器 5GHz Discrete PA
1:¥26.5098
100:¥26.5098
200:¥24.3628
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RF 开关 IC 2.4 to 2.5 GHz 0.6 dB IL, 25 dB
1:¥5.2997
250:¥4.9155
500:¥4.3053
1,000:¥3.5369
2,500:¥2.8476
5,000:¥2.3052
参考库存:6169
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 300W50VISM NI780H-4
1:¥812.0406
5:¥796.2884
10:¥770.0159
25:¥737.438
50:¥727.2906
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无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC Mighty Gecko SoC QFN48 2.4 G 19 dB mesh multi-protocol 1024 kB 256 kB (RAM) 31GPIO
1:¥93.2024
10:¥88.0609
25:¥85.4506
50:¥82.7612
参考库存:5070
无线和射频半导体
射频放大器 2.11 - 2.17 GHZ 24.5DBM 7X7 MCM LINEAR S
1:¥51.2568
10:¥46.9515
25:¥42.7253
50:¥38.42
2,500:¥26.4307
参考库存:5752
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