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无线和射频半导体
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MRF586

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库存:4,440(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥80.682
80.682
10
¥67.235
672.35
25
¥60.5454
1513.635
50
¥53.788
2689.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
50
集电极—发射极最大电压 VCEO
17 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2.5 V
集电极连续电流
200 mA
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92
封装
Tray
工作频率
500 MHz
类型
RF Bipolar Small Signal
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
Pd-功率耗散
2.5 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
子类别
Transistors
单位重量
453.600 mg
商品其它信息
优势价格,MRF586的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频放大器 1.7-2.17GHz PAE 39% Gain 30.5dB
1:¥71.5403
25:¥54.7824
100:¥42.8044
250:¥35.4255
2,500:¥27.8884
参考库存:4638
无线和射频半导体
射频放大器 17-24GHz Gain 20dB P1dB 23.5dBm
1:¥198.2472
25:¥168.5056
100:¥143.7699
250:¥128.8652
500:¥114.0283
1,000:¥114.0283
参考库存:3763
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC 2.4GHz WL-CSP 256kB Flash/32kB
暂无价格
参考库存:22821
无线和射频半导体
射频检测器 RMS Power Detector 10-30GHz
1:¥53.562
10:¥48.1832
25:¥43.7988
100:¥39.6517
1,000:¥28.0466
参考库存:3347
无线和射频半导体
射频放大器 4-6GHz NF .77dB OP1dB +20dBm
1:¥23.052
10:¥21.8994
100:¥20.2044
250:¥17.8992
2,500:¥7.7631
参考库存:6143
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