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MRF586

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数量单价合计
1
¥80.682
80.682
10
¥67.235
672.35
25
¥60.5454
1513.635
50
¥53.788
2689.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
50
集电极—发射极最大电压 VCEO
17 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2.5 V
集电极连续电流
200 mA
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92
封装
Tray
工作频率
500 MHz
类型
RF Bipolar Small Signal
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
Pd-功率耗散
2.5 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
子类别
Transistors
单位重量
453.600 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
HMC434ETR
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