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无线和射频半导体
BFP 405F H6327参考图片

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BFP 405F H6327

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
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库存:6,984(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.9945
2.9945
10
¥2.5199
25.199
100
¥1.5368
153.68
1,000
¥1.1865
1186.5
3,000
¥1.01474
3044.22
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
BFP405
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
4.5 V
发射极 - 基极电压 VEBO
1.5 V
集电极连续电流
12 mA
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSFP-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
直流电流增益 hFE 最大值
130
类型
RF Bipolar Small Signal
商标
Infineon Technologies
增益带宽产品fT
25 GHz
Pd-功率耗散
55 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BFP405FH6327XTSA1 BFP45FH6327XT SP000745258
商品其它信息
优势价格,BFP 405F H6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.7GHz 65W 50V SSG 20dB GaN
1:¥1,037.34
25:¥899.028
100:¥776.084
参考库存:4420
无线和射频半导体
射频放大器 50-4000MHz 3V SiGe Gn 21.1dB -40C +105C
1:¥22.2836
25:¥16.7466
100:¥13.1419
250:¥10.7576
3,000:¥8.3733
参考库存:7170
无线和射频半导体
衰减器 SOI 4Bit DAT - v3 ESD Improved MiM
1:¥46.8724
10:¥42.1829
25:¥39.7308
50:¥37.3465
参考库存:4709
无线和射频半导体
射频前端 4.9-5.925GHz FEM WiFi 802.11a/n/ac
1:¥16.5997
25:¥14.9047
100:¥13.2888
250:¥11.6051
2,500:¥7.5258
参考库存:9121
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 NPN Silicn Germanium RF Transistor
1:¥6.5314
10:¥5.4692
100:¥3.5256
1,000:¥2.825
15,000:¥2.2035
参考库存:20965
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