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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Qorvo
产品种类	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS	是
晶体管类型	HEMT
技术	GaN SiC
增益	21.8 dB
晶体管极性	N-Channel
Id-连续漏极电流	1.7 A
输出功率	178 W
最大漏极/栅极电压	65 V
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
Pd-功率耗散	67 W
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	DFN-6
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
应用	Military Radar, Jammers,Test Instrumentation,Wideband or Narrowband Amplifiers,Land Mobile and Military Radio Communications
配置	Single Triple Drain
工作频率	1.2 GHz to 2.7 GHz
商标	Qorvo
开发套件	QPD1013EVB01
湿度敏感性	Yes
产品类型	RF JFET Transistors
工厂包装数量	100
子类别	Transistors

商品其它信息

优势价格，QPD1013SR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
AD5293BRUZ-100-RL7	Analog Devices	无线和射频半导体	PDF数据手册	数字电位计 IC 1024-pos 1% w/SPI interface	1:¥48.1041 10:¥43.2564 25:¥40.7252 50:¥38.2618 1,000:¥26.5889	参考库存:5174
TGA2595-CP	Qorvo	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 27.5-31GHz PAE >22% Gain 21dB Pout 39dBm	暂无价格	参考库存:33358
TGA2704-SM	Qorvo	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 9-11GHz 8 Watt Gain 21 dB	暂无价格	参考库存:33361
HMC361S8GETR	Analog Devices / Hittite	无线和射频半导体	PDF数据手册	预定标器 InGaP HBT Divide-by-2 SMT, DC - 10 GHz	暂无价格	参考库存:33364
HMC7149	Analog Devices / Hittite	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 Die 10 Watt Aap 6-18GHz	暂无价格	参考库存:33367