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无线和射频半导体
PD55008S-E参考图片

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PD55008S-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
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库存:3,877(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥120.7179
120.7179
10
¥110.9547
1109.547
25
¥106.3443
2658.6075
100
¥93.7448
9374.48
250
¥89.1344
22283.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
4 A
Vds-漏源极击穿电压
40 V
增益
17 dB
输出功率
8 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerSO-10
封装
Tube
配置
Single
高度
3.5 mm
长度
7.5 mm
工作频率
1 GHz
系列
PD55008-E
类型
RF Power MOSFET
宽度
9.4 mm
商标
STMicroelectronics
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
52.8 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
400
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
单位重量
1.190 g
商品其它信息
优势价格,PD55008S-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
RF 开关 IC .1-2GHz IL 1dB Iso 23dB
1:¥38.1149
10:¥34.2729
25:¥30.962
50:¥29.3574
3,000:¥18.984
参考库存:4233
无线和射频半导体
射频放大器 Medium pow amp SMT, 6 - 18 GHz
1:¥427.3886
5:¥414.4727
10:¥401.489
25:¥388.5844
参考库存:1411
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU RF+MCU 8051 25 MHz 16 kB +20 dBm
1:¥41.4936
10:¥39.1884
25:¥38.0358
50:¥36.8832
参考库存:3530
无线和射频半导体
射频前端 2.4GHz 64QAM 802.11b/g/n
1:¥12.1362
10:¥9.7632
100:¥7.458
500:¥6.5879
3,000:¥4.6217
参考库存:4349
无线和射频半导体
射频放大器 2300-2690 MHz 2.5 W Avg., 28 V
1:¥367.2161
5:¥347.3959
10:¥342.4013
25:¥317.5752
500:¥251.425
参考库存:1699
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