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无线和射频半导体
PD54008-E参考图片

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PD54008-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
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数量单价合计
1
¥120.7179
120.7179
10
¥110.9547
1109.547
25
¥106.3443
2658.6075
100
¥93.7448
9374.48
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
5 A
Vds-漏源极击穿电压
25 V
增益
11.5 dB
输出功率
8 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerSO-10RF-Formed-4
封装
Tube
配置
Single
高度
3.5 mm
长度
7.5 mm
工作频率
1 GHz
系列
PD54008-E
类型
RF Power MOSFET
宽度
9.4 mm
商标
STMicroelectronics
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
73 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
400
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
单位重量
3 g
商品其它信息
优势价格,PD54008-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
PIN 二极管 Rs=3.0ohm Ct=.5pF CERMACHIP
1:¥29.9676
10:¥23.1311
100:¥21.0519
250:¥19.0518
1,500:¥13.221
参考库存:4251
无线和射频半导体
射频放大器 Hi LinearAmp 2700MHz
1:¥18.3625
10:¥15.594
100:¥12.4526
500:¥10.9158
4,000:¥8.1473
参考库存:6646
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
1:¥6.3732
10:¥5.3788
100:¥4.1358
500:¥3.6612
1,000:¥2.8815
参考库存:10502
无线和射频半导体
射频混合器 LO/RF .5-19GHz IF .03-5GHz SMA Conn
1:¥3,734.198
25:¥3,682.0146
参考库存:2902
无线和射频半导体
衰减器 Fixed atten 2 dB
1:¥51.0195
10:¥46.104
50:¥43.957
100:¥38.194
参考库存:3060
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