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无线和射频半导体

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CE3514M4

  • CEL
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 12GHz NF .42dB Ga 12.2dB -55C +125C
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数量单价合计
1
¥9.1417
9.1417
10
¥6.9721
69.721
100
¥5.0737
507.37
500
¥4.3053
2152.65
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
CEL
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
pHEMT
技术
GaAs
Id-连续漏极电流
10 mA
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 125 C
Pd-功率耗散
125 mW
安装风格
SMD/SMT
封装
Bulk
配置
Single
商标
CEL
正向跨导 - 最小值
54 mS
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
1
子类别
Transistors
单位重量
4.528 mg
商品其它信息
优势价格，CE3514M4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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