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无线和射频半导体
A3T23H300W23SR6参考图片

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A3T23H300W23SR6

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A3T23H300W23S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
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库存：3,249(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥737.664
737.664
5
¥724.1379
3620.6895
10
¥691.56
6915.6
25
¥668.508
16712.7
100
¥622.4831
62248.31
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
3.2 A
Vds-漏源极击穿电压
- 5 V, 65 V
增益
15.6 dB
输出功率
63 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
ACP-1230S-4L2S
封装
Cut Tape
封装
Reel
工作频率
2300 MHz to 2400 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
150
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.3 V
零件号别名
935374249128
商品其它信息
优势价格，A3T23H300W23SR6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SKY65605-21
Skyworks Solutions, Inc.
无线和射频半导体
射频放大器 BDS/GPS/GNSS Gain 19dB Typ.
1:¥6.4523
10:¥5.2206
100:¥4.0002
500:¥3.5369
3,000:¥2.486
参考库存:10805
HMC305SLP4ETR
Analog Devices
无线和射频半导体
衰减器 5-bit attenuator with 2 dB bits
1:¥81.5295
10:¥74.919
25:¥71.8454
100:¥63.3139
500:¥58.9408
参考库存:4370
ADRF6655ACPZ-R7
Analog Devices
无线和射频半导体
射频混合器 Broadbnd Up/Dwncnvrt
1:¥160.9798
10:¥146.0751
25:¥137.3176
50:¥132.2439
750:¥93.9708
参考库存:4604
AD6684BCPZ-500
Analog Devices
无线和射频半导体
射频接收器 135 MHz BW Quad reciever
1:¥4,773.3008
5:¥4,707.2975
参考库存:3979
AT0603C10ECAS3
American Technical Ceramics (ATC)
无线和射频半导体
衰减器 10db 0.75W 0603 DC to 20 GHz
1:¥209.7732
10:¥192.1791
25:¥174.7319
50:¥165.7484
参考库存:4005
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