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无线和射频半导体
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BFU520AR

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 Dual NPN wideband Silicon RFtransistor
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数量单价合计
1
¥3.0736
3.0736
10
¥2.5312
25.312
100
¥1.5481
154.81
1,000
¥1.1978
1197.8
3,000
¥1.02152
3064.56
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
晶体管类型
Bipolar Wideband
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
60
集电极—发射极最大电压 VCEO
16 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2 V
集电极连续电流
5 mA
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
24 V
直流电流增益 hFE 最大值
200
工作频率
900 MHz
工作温度范围
- 40 C to + 150 C
类型
Wideband RF Transistor
商标
NXP Semiconductors
增益带宽产品fT
10 GHz
最大直流电集电极电流
50 mA
Pd-功率耗散
450 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
934067697215
单位重量
7.530 mg
商品其它信息
优势价格，BFU520AR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TAT7430B-T1
Qorvo
无线和射频半导体
射频放大器 Drop amp/gp gain 5V 75 Ohm 1002 MHz
1,000:¥25.9674
3,000:¥20.7468
5,000:¥17.289
参考库存:29365
QPF7200TR13
Qorvo
无线和射频半导体
射频前端 2.4-2.5GHz NF 2dB
2,500:¥23.6622
参考库存:29368
EFR32FG1V032F256GM32-C0
Silicon Labs
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC Flex Value QFN32 2.4G 8dB Prop 256kB 32kB(RAM) 16GPIO
490:¥29.1201
980:¥29.041
参考库存:29371
CMM0511-QT-0G00
MACOM
无线和射频半导体
射频放大器 5-14GHz Gain 20dB P1dB 11dBm GaAs
96:¥133.7016
参考库存:29374
MA4P7436-1146T
MACOM
无线和射频半导体
PIN 二极管 Ls=1.3nH Cp=.11pF Single SOD-323
6,000:¥2.486
9,000:¥2.3956
24,000:¥2.3052
参考库存:29377
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