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无线和射频半导体
MRF559LF参考图片

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MRF559LF

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库存:3,109(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥34.578
34.578
10
¥28.8941
288.941
25
¥25.9674
649.185
50
¥23.052
1152.6
询价数量:
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参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
30
集电极—发射极最大电压 VCEO
16 V
发射极 - 基极电压 VEBO
3 V
集电极连续电流
150 mA
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
M238
封装
Tray
工作频率
870 MHz
类型
RF Bipolar Power
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
Pd-功率耗散
2 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
1
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,MRF559LF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥329.3385
参考库存:27880
无线和射频半导体
RF 开关 IC 8-10.5GHz SPDT IL 1dB Iso 38dB
500:¥575.1474
参考库存:27883
无线和射频半导体
衰减器 1db 1W 0603 DC to 20GHz
500:¥43.4146
1,000:¥35.2673
2,500:¥33.5045
参考库存:27886
无线和射频半导体
射频放大器 .5-1GHz Iso 50dB -55C to 85C
10:¥6,504.8902
参考库存:27889
无线和射频半导体
PIN 二极管 3000Vr 1.2Vf Ct=3.2pF -65C +175C
26:¥657.8295
参考库存:27892
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