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无线和射频半导体
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SD1275-01

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数量单价合计
1
¥292.4553
292.4553
10
¥283.3136
2833.136
25
¥272.782
6819.55
50
¥267.019
13350.95
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
20
集电极—发射极最大电压 VCEO
16 V
发射极 - 基极电压 VEBO
4 V
集电极连续电流
8 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
M113
封装
Tray
工作频率
160 MHz
类型
RF Bipolar Power
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
Pd-功率耗散
70 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
子类别
Transistors
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CYW20721B1KWB9GT
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