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无线和射频半导体
HFA3101BZ96参考图片

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HFA3101BZ96

  • Renesas / Intersil
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 TXARRAY NPN GILBERT CELL 8W MILEL
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库存:41,418(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥73.0771
73.0771
10
¥66.0824
660.824
25
¥63.0088
1575.22
100
¥54.7146
5471.46
2,500
¥39.9568
99892
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Renesas Electronics
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
HFA3101
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
40
集电极—发射极最大电压 VCEO
8 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5.5 V
集电极连续电流
0.03 A
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
配置
Hex
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOIC-8
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
12 V
直流电流增益 hFE 最大值
40 at 10 mA at 3 V
高度
1.5 mm (Max)
长度
5 mm (Max)
工作频率
10000 MHz (Typ)
类型
RF Bipolar Small Signal
宽度
4 mm (Max)
商标
Renesas / Intersil
增益带宽产品fT
10000 MHz (Typ)
最大直流电集电极电流
0.03 A
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
Transistors
单位重量
72 mg
商品其它信息
优势价格,HFA3101BZ96的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
衰减器 8db 1W 0603 DC to 20GHz
1:¥209.8523
10:¥192.2582
25:¥174.811
50:¥165.8162
参考库存:16487
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 10-500 MHz 1000 W 50 V
1:¥1,342.6208
5:¥1,312.6532
10:¥1,285.8383
25:¥1,266.8656
50:¥1,220.8294
参考库存:16490
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU 32 kB M0+, USB, +20 dBm EZRadioPRO, QFN48 wireless MCU
1:¥34.578
10:¥32.657
25:¥31.6626
50:¥30.736
参考库存:16493
无线和射频半导体
衰减器 4pin 75ohm +/- 0.5dB Attenuation 6dB
1:¥1.7628
50:¥1.6159
100:¥1.3108
500:¥1.2317
4,000:¥0.92208
参考库存:16496
无线和射频半导体
PIN 二极管 30 Volt 50mA 50nA IR @ 30V
10,000:¥0.80682
20,000:¥0.73789
参考库存:16499
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