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无线和射频半导体
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QPD2730

  • Qorvo
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  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 2.575-2.635GHz 48V 110/220 Watt GaN
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1
¥1,272.0862
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25
¥1,110.1798
27754.495
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
16 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
48 V
Id-连续漏极电流
210 mA
输出功率
36 W
最大漏极/栅极电压
55 V
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
Pd-功率耗散
18.6 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI780-4
封装
Waffle
配置
Dual
工作频率
2.575 GHz to 2.635 GHz
工作温度范围
- 40 C to + 85 C
系列
QPD
商标
Qorvo
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
25
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 2.7 V, - 4.75 V
零件号别名
1131813
商品其它信息
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