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无线和射频半导体
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STAC1011-350

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 350W 36V 1030-1090 MHz LDMOS TRANSISTOR
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1
¥1,281.2279
1281.2279
5
¥1,250.345
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10
¥1,219.2926
12192.926
25
¥1,202.2409
30056.0225
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
2 uA
Vds-漏源极击穿电压
80 V
增益
15 dB
输出功率
350 W
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
STAC265B-3
封装
Tube
工作频率
1.03 GHz to 1.09 GHz
系列
STAC1011-350
类型
RF Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
通道数量
1 Channel
Pd-功率耗散
1.44 kW
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
90
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
单位重量
2.100 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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