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SD1458

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1
¥734.8164
734.8164
10
¥674.271
6742.71
25
¥605.115
15127.875
50
¥535.959
26797.95
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
10
集电极—发射极最大电压 VCEO
35 V
发射极 - 基极电压 VEBO
4 V
集电极连续电流
10 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
M111
封装
Tray
工作频率
170 MHz to 230 MHz
类型
RF Bipolar Power
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
Pd-功率耗散
140 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
子类别
Transistors
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
1SS364T5LFT
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