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无线和射频半导体

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BF 999 E6327

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon N-Channel MOSFET Triode
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库存:3,059(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.3787
3.3787
10
¥2.825
28.25
100
¥1.7289
172.89
1,000
¥1.3334
1333.4
3,000
¥1.1413
3423.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
30 A
Vds-漏源极击穿电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
高度
1 mm
长度
2.9 mm
系列
BF999
类型
RF Small Signal MOSFET
宽度
1.3 mm
商标
Infineon Technologies
Pd-功率耗散
200 mW
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
6.5 V
零件号别名
BF999E6327HTSA1 BF999E6327XT SP000010985
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,BF 999 E6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
调节器/解调器 Balanced Mod/DeMod
1:¥6.3054
10:¥5.2093
100:¥3.3561
1,000:¥2.6894
2,500:¥2.2713
参考库存:8706
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥3.0736
10:¥1.9888
100:¥0.85315
1,000:¥0.66105
3,000:¥0.49946
参考库存:10089
无线和射频半导体
锁相环 - PLL High Speed CMOS w/VCO & Lock Detect
1:¥21.8203
10:¥19.5942
100:¥16.0573
250:¥15.0629
参考库存:4664
无线和射频半导体
射频混合器 9-13GHz lo LO DRIVE PASSIVE IQ mix
1:¥254.1822
5:¥240.2832
10:¥234.4411
25:¥210.7676
参考库存:4523
无线和射频半导体
射频放大器 2.7GHz 4dB 5V 125mA
1:¥13.5261
10:¥11.526
100:¥9.2208
500:¥8.0682
1,000:¥6.6557
参考库存:5854
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