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无线和射频半导体
BFR840L3RHESDE6327XTSA1参考图片

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BFR840L3RHESDE6327XTSA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
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库存:2,830(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.8364
4.8364
10
¥4.068
40.68
100
¥2.486
248.6
1,000
¥1.9097
1909.7
15,000
¥1.4464
21696
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
BFR840L3
晶体管类型
Bipolar
技术
SiGe
集电极—发射极最大电压 VCEO
2.25 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2.9 V
集电极连续电流
35 mA
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSLP-3
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
75 GHz
类型
RF Silicon Germanium
商标
Infineon Technologies
Pd-功率耗散
75 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
15000
子类别
Transistors
零件号别名
840L3RHESD BFR BFR84L3RHESDE6327XT E6327 SP000978848
商品其它信息
优势价格,BFR840L3RHESDE6327XTSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
RF 开关 IC High isolation SPDT, 30GHz, fast switchi
1:¥616.1777
5:¥604.9568
10:¥582.4472
25:¥551.6321
500:¥509.8334
参考库存:4196
无线和射频半导体
RFID应答器 MIFARE SAM AV2
1:¥93.5188
10:¥85.9817
25:¥82.4448
100:¥72.6138
参考库存:4481
无线和射频半导体
射频前端 169-170MHz FEM Ip1dB 15dB IL .4dB
1:¥24.3628
10:¥21.7412
25:¥19.5942
100:¥17.8314
3,000:¥10.9836
参考库存:4938
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU PSoC6
1:¥99.2027
5:¥96.8975
10:¥89.8237
25:¥82.6821
参考库存:4549
无线和射频半导体
射频放大器 MMZ38333B/HVQFN24///REEL 7 Q2 NDP
1:¥87.2925
10:¥77.9926
25:¥70.2295
50:¥66.8508
1,000:¥41.6518
参考库存:4832
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