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无线和射频半导体
MRF275L参考图片

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MRF275L

  • MACOM
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-500MHz 100Watts 28Volt Gain 8.8dB
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10
¥633.93
6339.3
25
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15477.61
50
¥604.3466
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
MACOM
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
13 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
8.8 dB
输出功率
100 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
333-04
封装
Tray
配置
Single
工作频率
500 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
MACOM
Pd-功率耗散
270 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
商品其它信息
优势价格，MRF275L的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NJG1558PB1-TE1
NJR
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