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无线和射频半导体
HMC311LP3ETR参考图片

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HMC311LP3ETR

  • Analog Devices / Hittite
  • 新批次
  • 射频放大器 InGaP HBT Gain Block amp SMT, DC - 6 GHz
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数量单价合计
1
¥82.4448
82.4448
10
¥74.5348
745.348
25
¥71.077
1776.925
100
¥61.698
6169.8
500
¥53.788
26894
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Analog Devices Inc.
产品种类
射频放大器
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
QFN-32
类型
HBT Gain Block
技术
GaAs InGaP
工作频率
DC to 6 GHz
P1dB - 压缩点
15.5 dBm
增益
14.5 dB
工作电源电压
5 V
NF—噪声系数
4.5 dB
OIP3 - 三阶截点
32 dBm
工作电源电流
90.5 mA
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
系列
HMC311
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Analog Devices / Hittite
通道数量
1 Channel
输入返回损失
18 dB
Pd-功率耗散
0.59 W
产品类型
RF Amplifier
工厂包装数量
500
子类别
Wireless & RF Integrated Circuits
单位重量
188.600 mg
商品其它信息
优势价格,HMC311LP3ETR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
锁相环 - PLL Fractional-N/ Integer-N
1:¥44.183
10:¥39.4935
25:¥35.5046
50:¥33.8887
参考库存:3383
无线和射频半导体
射频检测器 50-1000MHz 75dB Log Detector/Ctlr
1:¥58.3984
10:¥57.3249
25:¥41.5727
250:¥38.646
1,000:¥34.578
参考库存:3240
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC Sub-1GHz SoC w/ MCU & 16kB Flash memory
1:¥37.6516
10:¥33.8887
100:¥27.7415
250:¥26.0465
2,500:¥18.9049
参考库存:5624
无线和射频半导体
射频收发器 ISM Band IC
1:¥40.341
10:¥35.9566
25:¥32.431
50:¥30.8942
参考库存:3448
无线和射频半导体
射频放大器 LNA MMIC 4GHz 2.2dB
1:¥6.5314
10:¥5.7743
25:¥5.2206
100:¥4.5652
5,000:¥2.2713
参考库存:6625
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