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无线和射频半导体
MRF174参考图片

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MRF174

  • Advanced Semiconductor, Inc.
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
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数量单价合计
1
¥507.144
507.144
10
¥422.62
4226.2
25
¥380.358
9508.95
50
¥338.096
16904.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
13 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
221-11-3
封装
Tray
配置
Single
工作频率
200 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
Pd-功率耗散
270 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
40 V
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
商品其它信息
优势价格,MRF174的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频放大器 Medium pow amp SMT, 17.5 - 25.5 GHz
1:¥463.5712
5:¥449.514
10:¥435.4568
25:¥421.3883
参考库存:2905
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥34.578
10:¥28.8941
25:¥25.9674
50:¥23.052
参考库存:2995
无线和射频半导体
PIN 二极管 QUAD PIN DIODE ATTENUATOR
1:¥5.9212
10:¥4.9268
100:¥3.1753
1,000:¥2.5425
3,000:¥2.147
参考库存:7561
无线和射频半导体
射频无线杂项 30GHz ADA
1:¥261.482
5:¥247.1197
10:¥241.1985
25:¥216.7679
参考库存:2918
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥351.8481
2:¥342.2431
5:¥332.7963
10:¥323.2704
参考库存:2914
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