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无线和射频半导体

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MRF6VP3450HSR5

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 450W 860MHZ NI1230S
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数量单价合计
1
¥1,433.2242
1433.2242
5
¥1,401.2565
7006.2825
10
¥1,372.5884
13725.884
25
¥1,352.3049
33807.6225
50
¥1,303.2064
65160.32
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
110 V
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-1230S
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Dual Common Source
高度
5.08 mm
长度
32.38 mm
系列
MRF6VP3450H
类型
RF Power MOSFET
宽度
10.29 mm
商标
NXP / Freescale
通道模式
Enhancement
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
零件号别名
935314024178
单位重量
8.518 g
商品其它信息
优势价格，MRF6VP3450HSR5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CZA04S04100050HEA
Vishay / Dale
无线和射频半导体
衰减器 4pin 50ohm +/- 0.5dB Attenuation 10.0dB
1:¥0.92208
50:¥0.84524
100:¥0.7684
500:¥0.69156
10,000:¥0.61472
参考库存:14072
CG2409M2
CEL
无线和射频半导体
RF 开关 IC 50-3800MHz SPDT 802.11a/b/g/n/ac
1:¥12.9837
10:¥10.2152
100:¥8.1473
500:¥6.5201
参考库存:5869
MC12093MNR4G
ON Semiconductor
无线和射频半导体
预定标器 LO PWR PRESCLR 2/4/8
1:¥38.646
10:¥32.883
100:¥28.5099
250:¥27.0522
1,000:¥20.4417
参考库存:6948
LM1971M/NOPB
Texas Instruments
无线和射频半导体
衰减器 DIG CONTROLLED 62 DB AUDIO ATTENUATOR
1:¥17.8992
10:¥15.2098
100:¥12.1362
500:¥10.5994
参考库存:5649
MRF314
MACOM
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 30-200MHz 30Watts 28Volt Gain 10dB
1:¥227.9097
10:¥217.073
参考库存:5058
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