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无线和射频半导体
MMBT2907A-G参考图片

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MMBT2907A-G

  • Comchip Technology
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 VCEO=60V IC=600mA
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数量单价合计
1
¥1.8419
1.8419
10
¥1.1978
11.978
100
¥0.54579
54.579
1,000
¥0.34578
345.78
3,000
¥0.26103
783.09
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Comchip Technology
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
MMBT2907A
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
PNP
直流集电极/Base Gain hfe Min
50
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 60 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 5 V
集电极连续电流
- 600 mA
最小工作温度
-
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
200 MHz
输出功率
-
类型
RF Bipolar Power
商标
Comchip Technology
Pd-功率耗散
250 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,MMBT2907A-G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
衰减器 4db 1W 0603 DC to 20GHz
1:¥84.6822
10:¥77.5293
20:¥70.5346
50:¥66.8508
参考库存:3304
无线和射频半导体
RF 开关 IC Switches
2:¥915.9328
6:¥899.254
10:¥872.6764
26:¥841.7031
参考库存:3210
无线和射频半导体
RF 开关 IC SP4T Switch
1:¥64.9298
10:¥58.7035
25:¥55.935
100:¥48.5674
500:¥42.3411
参考库存:4490
无线和射频半导体
射频放大器 Hi EFF Amp 2700MHz
1:¥26.668
10:¥22.6678
100:¥19.6733
250:¥18.6676
6,000:¥12.9046
参考库存:8384
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
1:¥3.4578
10:¥2.8702
100:¥1.7402
1,000:¥1.356
3,000:¥1.1526
参考库存:60393
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