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无线和射频半导体
QPD1018参考图片

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QPD1018

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 500 Watt, 50 Volt, 2.7 - 3.1 GHz, GaN RF IMFET
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库存:1,942(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4,072.52
4072.52
25
¥3,672.952
91823.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制:
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
17.7 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
145 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 7 V to 2 V
Id-连续漏极电流
15 A
最大漏极/栅极电压
55 V
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
Pd-功率耗散
522 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
17.4 mm x 24 mm x 4.31 mm
配置
Single
工作频率
2.7 GHz to 3.1 GHz
商标
Qorvo
开发套件
QPD1018EVB
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
18
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,QPD1018的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
RF 开关 IC DC-3.5 GHz SP3T Non-Reflective SMT
1:¥63.619
10:¥57.5509
25:¥54.8615
100:¥47.6408
500:¥41.4936
参考库存:6508
无线和射频半导体
调谐器 Direct Conv Tuner Tuner for DVB-S2
1:¥77.5293
10:¥73.224
25:¥58.5566
50:¥55.6299
2,500:¥34.8831
参考库存:7562
无线和射频半导体
PIN 二极管 30V; 100mA PIN Diode
1:¥2.9154
10:¥2.1809
100:¥1.1865
1,000:¥0.89157
8,000:¥0.71416
参考库存:12317
无线和射频半导体
射频发射器 CONTROL
1:¥8.9948
10:¥7.684
100:¥5.9099
500:¥5.2206
5,000:¥3.6612
参考库存:5137
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 860MHz 90W TO 270WB4
1:¥488.2391
5:¥474.0237
10:¥463.8085
25:¥444.3612
500:¥382.1999
参考库存:43521
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