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无线和射频半导体
QPD1018参考图片

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QPD1018

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 500 Watt, 50 Volt, 2.7 - 3.1 GHz, GaN RF IMFET
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数量单价合计
1
¥4,072.52
4072.52
25
¥3,672.952
91823.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制:
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
17.7 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
145 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 7 V to 2 V
Id-连续漏极电流
15 A
最大漏极/栅极电压
55 V
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
Pd-功率耗散
522 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
17.4 mm x 24 mm x 4.31 mm
配置
Single
工作频率
2.7 GHz to 3.1 GHz
商标
Qorvo
开发套件
QPD1018EVB
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
18
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,QPD1018的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
PIN 二极管 Rs=.5ohm Ct=2.2pF non-Mag MELF
1:¥155.9061
10:¥141.4647
25:¥131.1704
50:¥123.6333
500:¥99.5869
参考库存:1506
无线和射频半导体
调节器/解调器 800 MHz to 2.7GHz Direct I/Q Demodulator
1:¥143.9959
25:¥95.6658
100:¥79.0661
250:¥75.145
参考库存:1365
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
1:¥6.9156
10:¥5.763
100:¥3.7177
1,000:¥2.9719
2,000:¥2.5086
参考库存:3523
无线和射频半导体
射频接收器 RX -116dBm SubG
1:¥12.9837
10:¥12.6786
25:¥12.5204
50:¥12.2944
参考库存:1952
无线和射频半导体
上下转换器 27-34GHz Downconverter
1:¥395.8051
5:¥383.8949
10:¥371.8265
25:¥359.8372
参考库存:1276
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