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DMT3009LFVWQ-13参考图片

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DMT3009LFVWQ-13

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数量单价合计
3,000
¥2.0001
6000.3
9,000
¥1.9323
17390.7
24,000
¥1.8532
44476.8
45,000
¥1.8193
81868.5
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerDI-3333-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
12 A
Rds On-漏源导通电阻
11 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
12 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.3 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
1.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5.2 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
8.9 ns
典型接通延迟时间
3.2 ns
商品其它信息
优势价格，DMT3009LFVWQ-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
1N4709UR-1
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JAN1N5545DUR-1
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100:¥272.9402
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Microsemi
分立半导体
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3,000:¥11.6842
6,000:¥10.7576
参考库存:49291
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